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电子元件 2N7002E MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3
标准包装 3,000包装 标准卷带 零件状态在售类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列-
电子元件 2N7002E MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3
FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）60V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）250mA（Ta）驱动电压（ Rds On， Rds On）4.5V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）3 欧姆 @ 250mA，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）2.5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）.22nC @ 4.5VVgs（值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）50pF @ 25VFET 功能-功率耗散（值）370mW（Ta）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装SOT-23-3封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文档
EDA / CAD 模型2N7002E-7-F by SnapEDA
PCN 组件/产地Mult Dev Assembly/Materials 25/Mar/2019
Mult Dev Wafer Fab Add 8/Aug/2012
Plating Site Addition 29/Jul/2015
PCN 设计/规格Bond Wire 3/May/2011
Green Encapsulate 15/May/2008
RoHS指令信息Diodes RoHS 3 Cert
电子元件 2N7002E MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3
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